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【央视新闻客户端】

在全球争夺AI基础设施产能背景下 ，越来越多存储芯片品类开始面临紧俏行情
，产能转移造成的供需缺口正在持续放大 。 在三星 、铠侠、美光等国际大厂集体退出MLC（Multi-Level Cell，多层单元） NAND闪存市场的背景下 ，这一曾经不起眼的“老兵”，产品价格近期暴涨300%
。由此造成的供应缺口
，正对汽车电子
、工业控制、医疗设备等产业造成潜在影响。 NAND行业的发展规律是通过纵向堆叠来进行扩容，MLC正如其名 ，一般采用二维平面堆叠方式
，也就是2D NAND 。目前行业主流已经迭代到TLC（Triple-Level Cell，三层单元）和QLC（Quad-Level Cell ，四层单元）阶段
，也就是进入3D NAND维度。 因此不难发现，上游存储供应商决定将MLC逐渐停产 ，有基于产品自身迭代的因素考量
，也有将更多产能留给利润空间更高的产品的考虑
。随着海外大厂陆续停产，也为国内产业链厂商带来一定发展机会。 涨价传导 ，供应断层 上游存储原厂在整体产能有限条件下
，正退出一些薄利市场，MLC NAND就在此之列 。 近期 ，Kioxia（铠侠）宣布停产部分旧制程产品，其中小容量TSOP封装产品 、部分传统浮栅式（Floating Gate）2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品将逐步退出市场
。 TSOP封装主要用于低容量MLC NAND Flash存储器
，有观点认为，此次铠侠宣布停产 ，意味着其或将退出该市场。 对此
，铠侠中国区董事长兼总裁岡本成之近日回应道，这是基于新旧技术更替的考虑 ，也是行业普遍现象 。 不止铠侠
，此前三星
、SK海力士和美光，也陆续宣布 ，MLC相关产品进入生命周期终结阶段
，相关产线不再扩产
。 据研究机构TrendForce集邦咨询调查，SK海力士和美光基本将MLC产量限制在满足现有客户需求的水平 ，缺乏扩产动力。因此
，2026年全球MLC NAND闪存产能预计将同比下降41.7%，进一步加剧供需失衡 。 一名存储行业从业者也向21世纪经济报道记者分析 ，产业链上游的存储原厂在技术迭代和利润目标驱动下，根据生命周期管理需要
，对落后制程的产品进行淘汰，是行业性正常的产品开发行为
。同时 ，将优质产能集中于企业级等高附加值领域也是普遍趋势。 在产能极为有限的背景下
，MLC NAND这类“高龄 ”产品的价格反而开始大幅上扬 。 CFM闪存市场分析师杨伊婷告诉21世纪经济报道记者，消费类MLC eMMC原厂供应基本已经停止 ，三星车规级MLC明年一季度停止供应
，使得现货市场MLC eMMC价格涨幅剧烈，8GB eMMC最高出现110美元的极端价格
。 Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi也对21世纪经济报道记者指出 ，其月度存储追踪数据（Monthly Memory Tracker）显示
，MLC NAND价格同比上涨约300%。以16Gb MLC NAND为例，价格从2025年一季度的约3.2美元上涨至预计2026年二季度的约12.9美元 。 “这一轮价格上涨主要由MLC产品持续退市（EOL）所引发的供需失衡推动。
”Jeongku Choi进一步指出 ，当前MLC NAND价格快速上涨的核心原因在于退市节奏明显加快
。“从过去情况来看
，EOL通常会在数年时间内逐步完成，但本轮MLC NAND的退出周期被压缩至约一年内完成。同时 ，AI需求快速增长推动产能向服务器相关产品倾斜，进一步加剧了MLC供应紧张 。” MLC NAND的终端需求主要来自工控、车用电子 、医疗设备和网通等领域
，这些应用对产品可靠度
、写入寿命、长期供货承诺要求极为严格
。其中，汽车行业受影响最为明显。 杨伊婷对21世纪经济报道记者指出 ，车规级MLC eMMC应用主要在T-BOX 、仪表
、HUD、中低端座舱等领域 。“一般使用MLC的地方对性能容量要求低
，基本不需要用到大容量UFS，够用即可
。而车规级芯片和模块验证周期很长 ，且车规级零部件量产生命周期至少在3—5年
，汽车以年为单位与原厂谈年价和供应，对AI存储供需的即时变化并不敏感 ，此前一度低估了存储供应短缺的严重程度
，以及原厂停止MLC产线集中产能做高价值服务器存储的决心，使得汽车在存储涨价 、缺货中受到的冲击最为明显。 ” 国产补位 ，商用转移 面对MLC供应断层
，部分具备承接能力的厂商已开始行动 。 TrendForce集邦咨询表示，因为MLC NAND Flash长期供货的供应体系出现断层 ，长期聚焦嵌入式与高可靠度存储器市场的旺宏，相对具备承接这项利基型需求的优势
。旺宏已减少原有NOR Flash产能
，以扩大MLC NAND Flash供应。 Jeongku Choi则对记者指出，当前2D NAND供给缺口较难完全填补 。“国内厂商中 ，长江存储（YMTC）具备相对最大的可用产能
，但其同样将优先满足服务器端对TLC与QLC产品的需求，以抓住AI带来的结构性机会 ，因此可用于缓解MLC短缺的空间有限
。
” 当然按照常规
，终端市场终究会逐渐采用新一代技术和产品，因此转向更高工艺制程的TLC产品正成为趋势。 杨伊婷对记者表示 ，除铠侠继续供应车规级eMMC至2028年以外
，国内存储厂商MLC也在通过自行设计及流片尝试填补部分供应缺口，同时汽车将加速64GB TLC eMMC/UFS的验证使用 。 “下游MLC NAND应用确实将逐步向TLC迁移。”Jeongku Choi对记者指出 ，与仍在汽车等长生命周期基础设施中保持重要性的传统DRAM不同
，MLC NAND在性能上已被SLC超越，在成本效率上又被TLC和QLC取代 ，其竞争优势正在被双向压缩
。 “下游市场已开始向TLC和QLC迁移以降低成本，而随着上游MLC供应持续收紧
，这一替代趋势预计将进一步加速。 ”但他也提到，由此带来的BOM成本上升 ，将压缩下游厂商利润
，其中以服务网络设备厂商及大型OEM的工业与嵌入式供应商受影响最为明显 。 集邦咨询也提到，长期来看 ，MLC NAND的主要终端市场成长幅度有限
，且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案，或整体NAND Flash市场景气明显反转 ，MLC产品价格仍可能间接承压
。 从“大宗商品”到“利基奢侈品
”
，MLC NAND的命运变迁是AI时代存储产业资源再分配的一个缩影。上游原厂在资本支出和洁净室空间有限的前提下，毅然将产能向HBM
、高层数3D NAND等更高利润产品倾斜 ，而曾经支撑汽车、工控 、医疗等实体产业稳定运行的成熟存储产品
，则因单位产值低而被加速淘汰 。 这一趋势短期内难以逆转，下游终端市场不得不加速技术替代和供应链重构
。 对于国内存储厂商而言 ，能否在海外巨头退出的间隙中，以稳定的供货能力和可靠的产品质量赢得客户信任
，并在专利壁垒之下找到自主创新的突破口，将决定中国存储产业在这场全球格局重塑中能否真正站稳脚跟。 （作者：骆轶琪

　　美国贸易代表贾米森·格里尔表示 ，特朗普政府正在继续考虑对进口半导体征收关税
，以提振国内芯片制造，不过目前没有立即开征任何新关税的计划 。 　　格里尔在美光科技弗吉尼亚州北部存储芯片工厂扩建活动上发表讲话 ，强调利用进口关税推动芯片生产回流美国的重要性
。与此同时
，他明确表示，“明天或下周”不会“立即 ”出台关税 ，并补充称
，政府仍在与行业就时机和范围进行讨论。 　　“我们希望确保以正确的时间表和正确的力度来实施，从而促进生产回流 ，
”格里尔称 。 　　美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra与记者讨论公司在美国扩大DRAM生产
。他还谈到了人工智能的需求
，以及他认为内存芯片短缺问题将持续到2026年以后。 　　格里尔的讲话强化了政府继续推进芯片关税的承诺 。此前，美国商务部1月得出结论 ，认为美国对进口半导体的依赖构成国家安全风险。当时，美国总统唐纳德·特朗普暂缓征收关税
，并命令美国官员与主要出口方谈判，同时保留根据谈判结果实施范围更广芯片关税和配套抵消机制的选项
。 　　格里尔表示 ，美国政府在芯片关税方面的做法保持不变。相关工作包括设法制定抵消安排
，以使正在美国建厂的芯片制造商免受冲击 。 　　“预期是，你需要在这里建厂 ，而且会有某种系数或倍数机制
，即‘如果你在这里建厂，那么在生产回流阶段 ，就可以获准进口一定数量的产品’
，”格里尔表示，“我们坚定支持美光正在做的事情 ，也支持半导体行业其他同业正在做的事情
。 ” 　　美光已承诺投资2
，000亿美元用于美国制造和研发，其中包括斥资逾20亿美元改造该弗吉尼亚州工厂。 　　美光首席执行官Sanjay Mehrotra在活动现场接受采访时表示 ，公司在美国的扩张计划将增加产能，以满足人工智能热潮推动的存储芯片需求激增 。 　　“我们认为这种短缺将持续到2026年以后
，
”Mehrotra表示，“美光正与客户密切合作 ，也在与客户推进长期供应协议
，以切实确保客户对供应有可预见性
。”